Heavy and light hole minority carrier transport properties in low-doped n-InGaAs lattice matched to InP

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  1. Disponible le 1 octobre 2018
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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1063/1.5002677
AuteurRechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
Titre de la revueApplied Physics Letters
ISSN0003-6951
1077-3118
Volume111
Numéro16
Numéro d'article162107
Pagesnbre. de pages : 5
RésuméMinority carrier diffusion lengths in low-doped n-InGaAs using InP/InGaAs double-heterostructures are reported using a simple electrical technique. The contributions from heavy and light holes are also extracted using this methodology, including minority carrier mobilities and lifetimes. Heavy holes are shown to initially dominate the transport due to their higher valence band density of states, but at large diffusion distances, the light holes begin to dominate due to their larger diffusion length. It is found that heavy holes have a diffusion length of 54.5 ± 0.6 μm for an n-InGaAs doping of 8.4 × 1015 cm–3 at room temperature, whereas light holes have a diffusion length in excess of 140 μm. Heavy holes demonstrate a mobility of 692 ± 63 cm2/Vs and a lifetime of 1.7 ± 0.2 μs, whereas light holes demonstrate a mobility of 6200 ± 960 cm–2/Vs and a slightly longer lifetime of 2.6 ± 1.0 μs. The presented method, which is limited to low injection conditions, is capable of accurately resolving minority carrier transport properties.
Date de publication
Maison d’éditionAIP Publishing
Langueanglais
AffiliationÉlectronique et photonique avancées; Technologies de l'information et des communications; Conseil national de recherches Canada
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002462
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Identificateur de l’enregistrement1bc4fc43-ad56-4926-8a26-d88a522f76c7
Enregistrement créé2017-11-14
Enregistrement modifié2017-11-14
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