Band-gap tuning of InGaAs/InGaAsP/InP laser using high energy ion implantation

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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1063/1.114823
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TypeArticle
Titre de la revueApplied Physics Letters
Volume67
Numéro20
Pages29542956; nbre. de pages : 3
Sujetenergy gap; gallium arsenides; gallium phosphides; indium arsenides; indium phosphides; ion implantation; mixing; quantum efficiency; quantum wells; semiconductor lasers; threshold current; tuning
RésuméThe technique of ion-induced quantum well intermixing using broad area, high energy (1 MeV P⁺ ) ion implantation has been used to tune the emission wavelength of an InGaAs/InGaAsP/InP multiple quantum well (MQW) laser operating at 1.5 �m. The optical quality of the band-gap shifted material is assessed using low-temperature photoluminescence (PL). The band-gap tuned lasers are characterized in terms of threshold current density and external quantum efficiency and exhibit blue shifts in the lasing spectra of up to 63 nm. This approach offers the prospect of a powerful and relatively simple fabrication technique for integrating active as well as passive optoelectronic devices.
Date de publication
Langueanglais
AffiliationConseil national de recherches Canada; Institut des sciences des microstructures du CNRC
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC12328305
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Identificateur de l’enregistrementaa5ab9fd-9a62-41d7-b984-7495e3a0be5f
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2016-05-09
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