Entanglement distribution schemes employing coherent photon-to-spin conversion in semiconductor quantum dot circuits

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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1088/1361-6641/aa788d
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
Titre de la revueSemiconductor Science and Technology
ISSN0268-1242
1361-6641
Volume32
Numéro9
Numéro d'article093001
Pagesnbre. de pages : 15
RésuméLong distance entanglement distribution is an important problem for quantum information technologies to solve. Current optical schemes are known to have fundamental limitations. A coherent photon-to-spin interface built with quantum dots (QDs) in a direct bandgap semiconductor can provide a solution for efficient entanglement distribution. QD circuits offer integrated spin processing for full Bell state measurement (BSM) analysis and spin quantum memory. Crucially the photo-generated spins can be heralded by non-destructive charge detection techniques. We review current schemes to transfer a polarization-encoded state or a time-bin-encoded state of a photon to the state of a spin in a QD. The spin may be that of an electron or that of a hole. We describe adaptations of the original schemes to employ heavy holes which have a number of attractive properties including a g-factor that is tunable to zero for QDs in an appropriately oriented external magnetic field. We also introduce simple throughput scaling models to demonstrate the potential performance advantage of full BSM capability in a QD scheme, even when the quantum memory is imperfect, over optical schemes relying on linear optical elements and ensemble quantum memories.
Date de publication
Maison d’éditionIOP Publishing
Langueanglais
AffiliationTechnologies de sécurité et de rupture; Conseil national de recherches Canada
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002301
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Identificateur de l’enregistrementcb137d1a-ef4a-413f-956c-b486eed058e9
Enregistrement créé2017-10-12
Enregistrement modifié2017-10-12
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