Magnetoconductance of a nanoscale antidot

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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.10856
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
Titre de la revuePhysical Review B
ISSN0163-1829
Volume50
Numéro15
Pages1085610863; nbre. de pages : 8
RésuméA 300-nm-diameter gate is used to introduce an antidot or artificial impurity into a quantum wire defined in an AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron gas. At low magnetic fields, geometry-induced quantum interference effects are observed, while at higher fields adiabatic edge-state transport is established. In the transitional regime, conductance resonances due to magnetically bound impurity states exhibit distinct characteristics including beating, sharp period changes, and spin splitting. An asymmetry is observed between the resonances observed as a function of magnetic field and gate voltage. The results are explained by a model based on an interedge-state coupling mechanism. © 1994 The American Physical Society.
Date de publication
Langueanglais
AffiliationConseil national de recherches Canada (CNRC-NRC); Institut des sciences des microstructures du CNRC
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21274610
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Identificateur de l’enregistrementecab0b15-e4e2-471b-81a5-98f465d2e148
Enregistrement créé2015-03-18
Enregistrement modifié2016-05-09
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