Photoluminescence in amorphous Si/SiO[sub 2] superlattices fabricated by magnetron sputtering

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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1063/1.116811
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TypeArticle
Titre de la revueApplied Physics Letters
Volume69
Numéro21
Pages31493151; nbre. de pages : 3
SujetAMORPHOUS STATE; ANNEALING; SI JUNCTIONS; SILICON; SILICON OXIDES; SPUTTERED MATERIALS; SUPERLATTICES
RésuméAmorphous Si/SiO2 superlattices with 100�525 periods and a 2�3 nm periodicity were deposited by radio frequency magnetron sputtering onto silicon and quartz substrates. All samples exhibited visible photoluminescence (PL) at room temperature and the PL peak wavelength shifted towards shorter wavelengths with decreasing Si layer thickness. For 425 and 525 period superlattices there was a strong modulation of the PL intensity and optical transmittance versus wavelength resulting from optical interference within the superlattice. The PL intensity increased dramatically after annealing the superlattices in air at 1100 �C.
Date de publication
AffiliationConseil national de recherches Canada; Institut des sciences des microstructures du CNRC
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC12330156
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Identificateur de l’enregistrement1f636a00-5c29-49e5-9be9-cf6caf3af504
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2016-05-09
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