Deposition of iridium thin films using new IrI CVD precursors

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DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1002/1521-3862(20020116)8:1<17::AID-CVDE17>3.0.CO;2-3
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
Titre de la revueChemical Vapor Deposition
Volume8
Numéro1
Pages1720; nbre. de pages : 4
Sujet1,5-Cyclooctadiene; Aminoalkoxide; Hexafluorodiacetone; Imine; Iridium; Ketoiminate; Nobel metals
RésuméThe syntheses of three volatile IrI cyclooctadiene precursors is described. The anionic ligand was carefully selected to produce a structure (see Figure) with physical properties suitable for CVD requirements. Films grown using oxygen as carrier gas produced iridium thin films with a purity higher than 98 % and a measured resistivity in the range of 8.4 to 10.2 μΩ cm.
Date de publication
Langueanglais
AffiliationConseil national de recherches Canada; Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC12329219
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Identificateur de l’enregistrementc738aca7-bdf4-453d-981c-fb7c9965bef6
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2016-05-09
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